Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
p-i-n фотодиод
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной.
Научные статьи на тему «p-i-n фотодиод»
Светодиоды и фотодиоды
, то есть послойного наращивания кристаллической структуры и создание контактных отводов от каждого p-n...
преобразующий попавший на его светочувствительную поверхность свет в электрический ток благодаря процессам в p-n...
Скорость работы фотодиода определяется скоростью разделения носителей p-n перехода, а также его емкостью...
Фотодиоды делятся на следующие виды:
P-I-N фотодиод....
В структуре такого фотодиода средняя i-область заключена между двумя областями противоположной проводимости
Статья от экспертов
Кремниевые p-i-n фотодиоды для рентгеновской диагностики короткоживущей плазмы
В работе дано краткое описание методики исследования временных и спектральных характеристик детекторов мягкого рентгеновского излучения в интервале энергий фотонов от нескольких десятков до тысячи электронвольт. Представлены измеренные характеристики (время нарастания сигнала, временнóе разрешение, абсолютная спектральная чувствительность) и определенные по результатам измерений параметры (толщины контактного, "мертвого" и чувствительного слоев) некоторых типов быстрых кремниевых p-i-n фотодиодов различных производителей (Siemens, Hamamatsu, Motorola, НИИИТ/Москва), которые могут быть использованы в аппаратуре для рентгеновской диагностики плазмы с временным разрешением около 1 ns и лучше.
Creative Commons
Научный журнал
Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде
Проанализированы характеристики микроэлектронного динамического операционного p–i–n-фотодетектора, обусловленные взаимодействием объемных эффектов и адсорбированных частиц на поверхности пленки оксида кремния. Рассмотрены температурные характеристики в режиме светового облучения, аномальные характеристики температурного гистерезиса, процессы в адсорбированном слое и перенос носителей заряда через потенциальный барьер в объеме кремниевой подложки. Обнаружено, что чувствительность прибора по отношению к фототоку нелинейно зависит от температуры. Предложена теоретическая модель, которая связывает процессы термои фотогенерации носителей заряда с параметрами потенциальных барьеров, зависящими от температуры и от модуляции зарядом подвижных носителей. Выявлены эффекты, обусловленные формированием поверхностных зарядов при осаждении частиц из внешнего окружения на пленке диоксида кремния, на элементах оптической системы, например, при работе во влажной среде или при разгерметизации прибора...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Ёмкостный элемент
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
Рекуперация электроэнергии (Energy recuperation)
возврат электроэнергии в сеть.
- P-n переход
- Пробой p-n перехода
- Лавинный пробой p-n перехода
- Обратное направление для p-n перехода
- Прямое направление для p-n перехода
- Тепловой пробой p-n перехода
- Туннельный пробой p-n перехода
- Электрический пробой p-n перехода
- Фотодиод
- I
- P-поляризация (p-polarization)
- Единица допуска i, I
- p-значение
- P-frame
- Величина p
- P-график
- Инжекционный фотодиод
- Лавинный фотодиод
- Фотодиод (Photodiode)
- Фотодиод с гетеропереходом
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
