Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
аналоговая голограмма, при отражении от которой восстанавливающая волна преобразуется в восстановленную.
Проведено экспериментальное исследование спектральной селективности отражательных решеток показателя преломления в кристалле BaTiO3:Co. Предложена методика измерения спектральной селективности толстых отражательных голограмм, позволяющая производить прямое измерение спектральной селективности решетки с помощью считывающего лазера, перестраиваемого по длине волны. Получено хорошее согласие расчета с результатами измерений.
Изучена зависимость дифракционной эффективности отражательной голограммы от азимута линейной поляризации опорной световой волны для различных срезов кубического оптически активного фоторефрактивного кристалла класса симметрии 23. Найдены поляризационные условия достижения максимальных значений дифракционной эффективности отражательных голограмм.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.