Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
отношение потока с данной длиной волны, дифрагированного в данный порядок спектра, к потоку той же длины волны, отраженному зеркалом из того же материала, что и оптическая поверхность, на которой образована спектральная дифракционная решетка.
Для рентгеновских лучей идеальными природными дифракционными решетками является монокристаллы, в которых...
тяжелых атомов характер аномального рассеяния зависит не только от расстояния между атомами, но и от относительного...
приводит к возникновению фазовой проблемы, которая заключается в невозможности прямого определения относительных...
фаз структурных амплитуд отражений....
На основе численных расчетов угловых и спектральных распределений коэффициентов отражения зеркально дифрагированного
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.