Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Ориентировка (положение) кристалла
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
расположениe кристаллической решетки относительно внешней (по отношению к кристаллу) системы координат.
Научные статьи на тему «Ориентировка (положение) кристалла»
Сегнетоэлектрики
Одна поляризация возникает как результат ориентировки дипольных моментов молекул одной из подрешеток...
кристалла (одно направление), вторая - результат ориентировки дипольных моментов молекул другой подрешетки...
Суммарная поляризация такого кристалла равна нулю....
В соответствии с типом химической связи все сегнетоэлектрики делят на: ионные кристаллы и дипольные кристаллы...
сегнетоэлектриков второй группы присутствуют готовые полярные группы атомов, которые могут занимать положения
Статья от экспертов
Динамический анализ ориентировки метаморфогенных минералов и его роль в решении проблемы происхождения кристаллизационной сланцеватости
В Мамской кристаллической полосе Патомского нагорья на площади около 5000 км2 проведён стереогеометрический анализ массовых замеров плоскостной и линейной ориентировки кристаллов дистена и сланцеватости в целом, первичное положение которых было нарушено последующими тектоническими деформациями. Анализ позволил снять результаты наложенных деформаций и определить первичную ориентировку структурных элементов рассматриваемого парагенезиса, которая оказалась устойчивой на всей исследуемой площади. Реставрирована ориентировка поля палеонапряжений в период формирования сланцеватости и установлено, что сланцеватая анизотропия толщи сформировалась под воздействием устойчивого регионального стресса, ориентируясь по отношению к этому направлению под углом 45о на начальном этапе процесса.
Creative Commons
Научный журнал
Типоморфные характеристики кристаллов алмаза с включениями оливина из россыпи Эбелях и кимберлитовых тел Якутской алмазоносной провинции
Приведены результаты изучения особенностей морфологии, характера структурной ориентировки и расчета остаточного давления по спектрам комбинационного рассеяния во включениях оливина в алмазах из россыпи Эбелях и кимберлитовых месторождений Якутской алмазоносной провинции с целью установления признаков сингенетичности и условий их внедрения в алмазы из месторождений различных генетических типов. Изученные алмазы с включениями оливина представлены кристаллами I разновидности по минералогической классификации Ю.Л. Орлова. Морфология включений оливина, как в кимберлитовых, так и в россыпных алмазах, проявляет зависимость формы от их располо-жения в объеме материнского кристалла. Методом рентгеноструктурного анализа выявлена закономерная ориентировка включений оливина в алмазах из кимберлитов и произвольная в кристаллах из россыпи Эбелях. По данным рамановской спектроскопии различиям в спектрах, зафиксированных для «напряженного» включения внутри алмаза и выведенного на поверхность, когда...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Окалинообразованиe
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
Полистирол; ПС
полимер стирола.
- Ориентировка
- Кристаллит
- Кристалл
- Кристаллографическая ориентировка
- Ориентировка Ф
- Предварительная ориентировка
- Дефект кристалла, несовершенство кристалла
- Совершенный кристалл, бездефектный кристалл
- Положения
- В положении
- Положение
- Ледяные кристаллы
- Вторичный кристалл
- Двойникованный кристалл
- Дефект в кристалле
- Жидкий кристалл
- Затравочный кристалл
- Игольчатый кристалл
- Идеальный кристалл
- Кристалл-фотоэффект
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
