Справочник от Автор24
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2

Обратное восстановление полупроводникового диода

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено Автор24

переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное; под словом "быстрый"понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления.

Научные статьи на тему «Обратное восстановление полупроводникового диода»

Техника сильных токов

электрического тока: в прямом направлении проводимость вентиля может быть на несколько порядков выше, чем в обратном...
Диоды. Ртутные вентили. Стабилитроны....
Характеристиками электрического вентиля являются масса и габариты, время восстановления, обратное пробивное...
база силовой электроники, силовые модули Элементы силовой электроники делятся на две группы: Силовые полупроводниковые...
К данной группе относятся диоды Зенера, стабилитроны, силовые диоды, диоды Шоттки, силовые дискретные

Статья от экспертов

Уменьшение времени обратного восстановления высокоскоростного диода с помощью диффузии платины

Описывается переключательный высокоскоростной кремниевый диод на основе p+-n-n+ структуры. Быстродействие диода увеличено за счет уменьшения времени жизни неосновных носителей заряда в базе методом диффузии платины с последующим резким охлаждением. Результатом оценки быстродействия этих диодов является время восстановления обратного сопротивления в симметричном режиме переключения тока с 10мА до -10мА. В результате получены температурные зависимости времени обратного восстановления, времени жизни носителей заряда в базе и токов утечки для полупроводникового диода при различных технологических режимах диффузии платины. При увеличении температуры диффузии платины от 950оС до 1050оС время обратного восстановления исходной структуры диода уменьшено в 10 раз. Времена жизни неосновных носителей заряда в базе диода были сокращены с 610 нс до 4-5 нс.

Научный журнал

Уменьшение погрешности измерения времени обратного восстановления быстровосстанавливающихся диодов при использовании осциллографов с узкой полосой пропускания

Рассмотрено воздействие осциллографа на фронты импульса тока обратного восстановления быстровосстанавливающегося диода. Установлено, что при разных длительностях фронта обратного напряжения и полосы пропускания осциллографа на переднем фронте семейства кривых тока обратного восстановления диода имеется точка пересечения, численно равная полусумме прямого тока и максимального тока восстановления (ток короткого замыкания). С помощью модели осциллографа оценено его влияние на вторую отсчетную точку времени обратного восстановления, расположенную на экспоненциальной части импульса тока. Предложенный способ коррекции экспоненциальной части импульса тока обратного восстановления быстровосстанавливающего диода совместно с выбором первой отсчетной точки позволяет уменьшить погрешность измерения времени обратного восстановления при использовании осциллографов с узкой полосой пропускания. Время обратного восстановления диода, полученное на осциллографах Rigol DS6064 и Agilent DSO9254A, расход...

Научный журнал

Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»

Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot