Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
ЭОП с микроканальной пластиной, в котором используется оборачивающая электростатическая фокусирующая система.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
геодезический дальномер, основанный на решении треугольника.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».