Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
В Российской Федерации первым способом получают поликристаллический кубический нитрид бора....
Поликристаллические сверхтвердые материалы на основе нитрида бора....
К данной группе поликристаллов относятся: поликристаллы, которые синтезируются из гексагонального нитрида...
модификации в кубическую; поликристаллы, которые получают посредством спекания порошков кубического нитрида...
поликристаллов относятся материалы, которые получают в результате спекания смеси порошков кубического нитрида
Методами эллипсометрии диффузно отражающих зеркал впервые выполнены оценки оптических констант кристаллов искусственно выращенного пиролитического нитрида бора.
gc-фаза типа Ni3(Ti,Al), которая когерентно связана с основным g-твердым раствором, а также карбиды, нитриды...
Карбиды, бориды и нитриды в данных сплавах способствуют незначительному упрочнению при низких температурах
Термогравиметрическим методом в интервале давлений 0,5.1000 гПа при температурах 1573.1923 К изучено равновесие с азотом мононитрида ванадия в его области гомогенности и в гетерогенной системе VN x-V 2N y. С помощью термодинамической модели, основанной на методе параметров взаимодействия К. Вагнера, получено уравнение зависимости упругости диссоциации нитрида VN x от его состава и температуры. Рассчитаны стандартные энергии Гиббса образования стехиометрического нитрида при 1500...2000 К и дано уравнение расчета энергии образования нестехиометрического нитрида заданного состава при указанных температурах.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер этилена [этена].
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне