Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
самая простая непрерывная комплексная нить из стекловолокна, состоящая из одного из следующего:1) нескольких прерывающихся волокон, связанных вместе кручением; подобные нити описаны как пряжа или пряденая нить из штапельного волокна; 2) данного количества непрерывных элементарных волокон (одна или несколько комплексных нитей), связанных вместе кручением; подобные нити описаны как нити из комплекса элементарных непрерывных волокон или нити из комплекса элементарных волокон; кручение может отсутствовать или присутствовать; в стекольной промышленности, однако, кручение всегда присутствует в простой нити.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.