Крайне высокие частоты
радиочастоты 30-300 ггц.
вывод интегральной микросхемы, который не используется при обычной эксплуатации интегральной микросхемы и может иметь или не иметь электрического соединения с контактной площадкой кристалла.
радиочастоты 30-300 ггц.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.