Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
радиочастоты 30-300 ггц.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве