Высокие частоты
радиочастоты 3-30 мгц.
ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы.
радиочастоты 3-30 мгц.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.