Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Расчет усилительного каскада

ток; максимальное напряжение между коллектором и базой, напряжение насыщение эмиттера, предельная частота...
между эмиттером и коллектором, которое у высоковольтных транзисторов может достигать десятки тысяч вольт...
насыщения коллектор - эмиттера: $Uкэ = Uпит / 2 = 12 / 2 = 6 \ В$ где, Uпит - напряжение источника питания...
расчетов видно, что половина напряжения падает на коллектор-эмиттере, но еще 50 % должно упасть на резисторах...
на эмиттере рассчитывается по следующей формуле: $Uэ = Iк * Rэ = 0,54 \ В$ Расчет напряжения на базе

Статья от экспертов

Температурная и временная стабильность напряжения коллектор-эмиттер насыщенного транзистора

Биполярный транзистор

Автор24 — интернет-биржа студенческих работ 1 - эмиттер; 2 - база; 3 - коллектор Биполярный транзистор...
Режим насыщения. Барьерный режим....
где: Iэ, Iб, Iк - электрический ток эмиттера, базы и коллектора соответственно....
Переход эмиттер-база открывается с некоторого значения прямого приложенного напряжения, обычно это напряжение...
из эмиттера и коллектора в базу.

Статья от экспертов

Выбор параметров электрического режима в качестве имитационных факторов при прогнозировании постепенных отказов биполярных транзисторов

С помощью экспериментальных исследований биполярных транзисторов для функциональных параметров (коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмиттером, напряжения насыщения коллектор-эмиттер) установлено наличие линейной корреляции между изменениями, обусловленными параметрами электрического режима (током коллектора, напряжением коллектор-эмиттер) как имитационных факторов, и изменениями, вызываемыми длительной наработкой транзисторов. Наличие тесной корреляции (модуль коэффициента корреляции более 0,7-0,8) является доказательством возможности использования параметров электрического режима в качестве имитационных факторов при прогнозировании постепенных отказов биполярных транзисторов методом имитационных воздействий