Крайне высокие частоты
радиочастоты 30-300 ггц.
напряжение между выводами базы и эмиттера бuполярного транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
радиочастоты 30-300 ггц.
зависимость выходного напряжения от входного.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.