Напряжение насыщения фотоэлемента

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника

👍 Проверено Автор24

минимальное значение напряжения питания фотоэлемента, увеличение которого не вызывает существенного изменения фототока фотоэлемента при постоянном световом или лучистом потоке, падающем на фотокатод.

Научные статьи на тему «Напряжение насыщения фотоэлемента»

Полупроводниковые приборы

По структуре различают интегральные (микропроцессоры и микросхемы) и дискретные (фотоэлементы, диоды,...
Стабилитроны используются для стабилизации напряжения....
В данных устройствах падение напряжения почти не зависит от протекающего электрического тока....
Варикапы используются, как конденсаторы переменной емкости, которые управляются напряжением....
В режимах отсечки и насыщения они используются в коммутационных, цифровых и импульсных схемах.

Статья от экспертов

Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта ли-л-саль с барьером Шоттки

Рассмотрены структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Аи-л-ОаА$ с барьером Шоттки. Измерены ВАХ фотоэлементов, их С-У-характеристики, спектры фото-э.д.с. и тока короткого замыкания и определена высота барьера Шоттки фВп контактов Аи-л-л+-ОаА5 фотоэлектрическим методом. Показано, что отжиг структур л-л+-ОаА5-АиОе в воздухе при (200-220) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Аи на л-слой ОаА$ приводит: к уменьшению на два-три порядка прямых 1пр и обратных токов 1обр (при У=0,5 В), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения У0, уменьшению емкостей фотоэлементов до значений (204-191) пФ при обратных напряжениях (0,22-0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фото-э.д.с., что связано с образованием тонкого слоя оксида арсенида галлия на л-слое при отжиге структур л-л+-ОаА$-АиОе в воздухе.

Creative Commons

Научный журнал

Фотоэлектрические преобразователи

Фотоэлементы с внешним фотоэффектом. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом....
Если между катодом и анодом приложено напряжение, то электроны образуют электрический ток....
Вольтамперные характеристики таких устройств имеют различный вид кривых насыщения....
Преобразование света в вакуумных фотоэлементах зависит от напряжения питания незначительно, поэтому его...
чувствительностью и линейной вольтамперной характеристикой, то есть их сопротивление не зависит от приложенного напряжения

Статья от экспертов

Влияние условий изготовления на электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки

Рассмотрены структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки. Измерены ВАХ фотоэлементов, их C-V-характеристики, спектры фото-э.д.с. и тока короткого замыкания, и определена высота барьера Шоттки фВл контактов Pd-n-/r+-GaAs фотоэлектрическим методом. Показано, что отжиг структур n-/r+-GaAs-AuGe в воздухе при (200-210) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Pd на n-слой GaAs приводит: к уменьшению на два порядка прямых / и обратных токов 1обр (при V=0,5 B), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения J0, уменьшению емкостей фотоэлементов до значений (241-233) пФ при обратных напряжениях (0,22-0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фото-э.д.с., что связано с образованием тонкого слоя диэлектрика на л-слое при отжиге структур n-/r+-GaAs-AuGe в воздухе.

Creative Commons

Научный журнал

Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

Напиши термин
Выбери определение из предложенных или загрузи свое
Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек

Попробовать тренажер