Аналоговые электронные устройства (АЭУ)
устройства усиления и обработки аналоговых электрических сигналов, выполненные на основе электронных приборов.
минимальное значение напряжения питания фотоэлемента, увеличение которого не вызывает существенного изменения фототока фотоэлемента при постоянном световом или лучистом потоке, падающем на фотокатод.
По структуре различают интегральные (микропроцессоры и микросхемы) и дискретные (фотоэлементы, диоды,...
Стабилитроны используются для стабилизации напряжения....
В данных устройствах падение напряжения почти не зависит от протекающего электрического тока....
Варикапы используются, как конденсаторы переменной емкости, которые управляются напряжением....
В режимах отсечки и насыщения они используются в коммутационных, цифровых и импульсных схемах.
Рассмотрены структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Аи-л-ОаА$ с барьером Шоттки. Измерены ВАХ фотоэлементов, их С-У-характеристики, спектры фото-э.д.с. и тока короткого замыкания и определена высота барьера Шоттки фВп контактов Аи-л-л+-ОаА5 фотоэлектрическим методом. Показано, что отжиг структур л-л+-ОаА5-АиОе в воздухе при (200-220) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Аи на л-слой ОаА$ приводит: к уменьшению на два-три порядка прямых 1пр и обратных токов 1обр (при У=0,5 В), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения У0, уменьшению емкостей фотоэлементов до значений (204-191) пФ при обратных напряжениях (0,22-0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фото-э.д.с., что связано с образованием тонкого слоя оксида арсенида галлия на л-слое при отжиге структур л-л+-ОаА$-АиОе в воздухе.
Фотоэлементы с внешним фотоэффектом.
Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом....
Если между катодом и анодом приложено напряжение, то электроны образуют электрический ток....
Вольтамперные характеристики таких устройств имеют различный вид кривых насыщения....
Преобразование света в вакуумных фотоэлементах зависит от напряжения питания незначительно, поэтому его...
чувствительностью и линейной вольтамперной характеристикой, то есть их сопротивление не зависит от приложенного напряжения
Рассмотрены структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Pd-n-GaAs с барьером Шоттки. Измерены ВАХ фотоэлементов, их C-V-характеристики, спектры фото-э.д.с. и тока короткого замыкания, и определена высота барьера Шоттки фВл контактов Pd-n-/r+-GaAs фотоэлектрическим методом. Показано, что отжиг структур n-/r+-GaAs-AuGe в воздухе при (200-210) °С в течение 30 минут перед осаждением пленки Pd на n-слой GaAs приводит: к уменьшению на два порядка прямых / и обратных токов 1обр (при V=0,5 B), уменьшению на три порядка плотности тока насыщения J0, уменьшению емкостей фотоэлементов до значений (241-233) пФ при обратных напряжениях (0,22-0,96) В, уменьшению тока короткого замыкания фотоэлементов и к увеличению их фото-э.д.с., что связано с образованием тонкого слоя диэлектрика на л-слое при отжиге структур n-/r+-GaAs-AuGe в воздухе.
устройства усиления и обработки аналоговых электрических сигналов, выполненные на основе электронных приборов.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
возврат электроэнергии в сеть.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве