Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
двухфазная латунь для горячештампованных изделий; содержит 58÷61% Сu и 38,5÷42% Zn; добавки Рb служат для улучшения обрабатываемости резанием; предложена Г.Мунцем в 1832 г..
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.