Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сплав церия Се (45÷50%), лантана La (22÷25%), неодима Nd (15÷17%) и др. редкоземельных элементов с железом Fe (до 5%) и кремнием Si (0,1÷0,3%); используется для легирования и рафинирования сплавов.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер винилацетата.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.