Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
клистрон, предназначенный для работы в двух или нескольких полосах частот, причем переход с одной полосы на другую происходит мгновенно при соответствующем изменении частоты входного сигнала.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.