Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
процесс получения металлического покрытия осаждением распыленного расплавленного металла.
Актуальность и цели. Межэлементные соединения современных силовых полупроводниковых приборов должны обладать в широком диапазоне рабочих температур минимальными электрическими и тепловыми сопротивлениями, индуктивностью и высокой механической прочностью. Важную роль в технологии таких соединений играют металлические слои, нанесенные составные части силовых полупроводниковых приборов: кремниевые структуры и молибденовые термокомпенсаторы. Они должны обладать высокой прочностью и адгезией к поверхностям кремниевых структур, молибденовых термокомпенсаторов и припоям, которые используются в технологии межэлементных соединений. Целью данной работы является исследование свойств многослойной металлизации поверхностей межэлементных соединений и молибденовых термокомпенсаторов, используемых в структуре «кремний на молибдене» с низкотемпературными соединениями мощных силовых полупроводниковых приборов нового поколения. Материалы и методы. Исследовано несколько вариантов многослойной металлиза...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер этилена [этена].
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве