Детекторный полупроводниковый диод
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
МОП-структура; упорядоченная совокупность тонких (менее 1 мкм) слоев металла и оксида, нанесенная на полупроводниковую пластину.
Рассмотрены этапы разработки прибора для автоматического измерения вольтфарадных характеристик МДП-структур на базе ЭВМ. Изложены проблемы, встреченные при разработки устройства, и варианты их устранения.
Дан анализ современных методов контроля дефектности МДП-приборов и зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник. Определены особенности работы современных МДП-приборов с учетом уменьшения технологических норм. Показано, что наиболее перспективным является электрофизический метод на основе метода управляемой токовой нагрузки, позволяющий анализировать быстрорелаксирующие процессы, протекающие в диэлектрике непосредственно после стрессовых воздействий.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
зависимость выходного напряжения от входного.
преобразование номера приходящего входного сигнала в выходной двоичный код.