Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
аминосмола на основе меламина и формальдегида.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
полимер винилацетата.