Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
охлаждение изделия со скоростью, не превышающей скорость охлаждения на спокойном воздухе.
обработки металлов – это совокупность технологических процессов, таких как выдерживание, нагревание и охлаждение...
Время/интенсивность охлаждения.
Продолжительность выдерживания при установленной температуре....
100-200 градусов, выдерживании при температуре от 600-700 градусов по Цельсию в течении 20 часов и медленного...
состоит из нагревания до температуры на 20-30 градусов больше точки рекристаллизации, выдерживании и медленного...
Ее суть заключается в быстром охлаждении прогретой насквозь детали в различных средах.
В статье сравниваются структура и физико-механические свойства циркония и титана ВТ1-0. Путем последовательных отжигов выявлена корреляция между структурой, механическими и электрическими свойствами материалов.
металла до определенной температуры, выдержке его определенное время при этой температуре и последующем медленном...
охлаждении до комнатной температуры....
до 800 градусов и последующего более медленного на воздухе....
охлаждении....
Маятниковый отжиг состоит из нескольких циклов нагрева выше точки перекристаллизации с медленным охлаждением
Проведен качественный и количественный анализ распределения структурных составляющих (-фаза + графит) в углеродсодержащем инварном сплаве с 0,6%С. Показано, что скорость кристаллизации оказывает существенное влияние на дисперсность графита и объемную долю графитных включений в сплаве: при быстром охлаждении объемная доля графита и его дисперсность существенно выше, чем при медленном охлаждении. Температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР) как у медленно охлажденного сплава, так и у быстро охлажденного сплава, сохраняет постоянство значений при температурах нагрева ниже 200 °С. Однако в сплаве, полученном в результате быстрого охлаждения, значения температурного коэффициента линейного расширения ниже, чем в медленно охлажденном, что может быть объяснено более низким содержанием углерода в -фазе медленно охлажденного сплава, являющейся носителем инварных свойств.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве