Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
мат, изготовленный из хаотически расположенных коротких отрезков комплексных нитей, скрепленных связующим материалом в виде эмульсии или порошкообразного вещества.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
полимер этилена [этена].