Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный ювелирный сплав, имитирующий золото; содержит 80÷89% Сu, 2÷12% Zn, 0÷9,3% Sn, 0,5% P.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер этилена [этена].
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.