Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
нижнее предельно допустимое значение приложенной магнитодвижущей силы управляющего магнитного поля, при котором сработавший магнитоуправляемый контакт не изменяет своего состояния.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.