Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
зависимость выходного напряжения от входного.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне