Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
пластичный магнитотвердый сплав, содержит 60% Си, 20% Ni, 20% Fe; его свойства: (ВН)макс = 8-15 кДж/м3 ; Нс = 32-44 кА/м; Вг ∼0,5 Тл; после закалки от 1273 К материал подвергают холодному деформированию и старят при 923 К; чем больше наклеп, тем больше (ВН)макс.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.