Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
минимальный размер зародыша, с которого начинается его устойчивый рост.
Приведены результаты расчета критического размера зародыша кристаллической фазы карбида титана в ходе реализации процесса самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в расплаве алюминия. На основе экспоненциальной зависимости скорости диффузии от абсолютной температуры сделано предположение о наноразмере получаемых частиц карбидной фазы. С применением формулы Селякова Шеррера по дифрактограммам образцов определены реальные размеры частиц карбида титана, подтвердившие их нанодисперсный уровень.
Рассматривается термодинамика процесса зародышеобразования продуктов химических реакций в растворе для случая, когда реагенты растворимы, а продукты реакций нерастворимы в исходном растворе. Получены уравнения, описывающие термодинамику процесса образования критических зародышей, и предложен алгоритм расчета размеров и состава критических зародышей продуктов реакций.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
полимер винилацетата.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве