Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
минимальный размер зародыша, с которого начинается его устойчивый рост.
Приведены результаты расчета критического размера зародыша кристаллической фазы карбида титана в ходе реализации процесса самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в расплаве алюминия. На основе экспоненциальной зависимости скорости диффузии от абсолютной температуры сделано предположение о наноразмере получаемых частиц карбидной фазы. С применением формулы Селякова Шеррера по дифрактограммам образцов определены реальные размеры частиц карбида титана, подтвердившие их нанодисперсный уровень.
Рассматривается термодинамика процесса зародышеобразования продуктов химических реакций в растворе для случая, когда реагенты растворимы, а продукты реакций нерастворимы в исходном растворе. Получены уравнения, описывающие термодинамику процесса образования критических зародышей, и предложен алгоритм расчета размеров и состава критических зародышей продуктов реакций.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.