Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны.
Научные статьи на тему «Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника»
Физические основы электроники
запрещенной зоны, представляющая собой энергетический зазор между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости...
Собственная концентрация носителей, представляющая собой концентрацию свободных электронов, а также дырок...
в собственном полупроводнике при установленной температуре....
концентрации....
Тепловая генерация заряда происходит при увеличении температуры до определенного критического значения
Статья от экспертов
Еще термины по предмету «Материаловедение»
- Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника
- Зона проводимости полупроводника
- Концентрация вырождения полупроводника
- Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника
- Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника
- Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника
- Собственная концентрация носителей заряда полупроводника
- Проводимость
- Полупроводники
- Полупроводник
- Концентрация
- Критический
- Ионная проводимость
- Дырка проводимости
- Зона проводимости
- Примесная проводимость
- Электрон проводимости
- Электронная проводимость
- Проводимость (электропроводность)
- Активная проводимость
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
