Временные напряжения
напряжения, проявляющиеся в изделии в процессе сварочного нагрева и последующего охлаждения.
концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны.
запрещенной зоны, представляющая собой энергетический зазор между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости...
Собственная концентрация носителей, представляющая собой концентрацию свободных электронов, а также дырок...
в собственном полупроводнике при установленной температуре....
концентрации....
Тепловая генерация заряда происходит при увеличении температуры до определенного критического значения
напряжения, проявляющиеся в изделии в процессе сварочного нагрева и последующего охлаждения.
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
полимер винилацетата.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне