Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
контрольная карта, на которую наносят значения выборочного размаха (среднего размаха) контролируемого параметра.
Основные сведения о контрольной карте средних значений
Карта средних арифметических значений является...
Контрольная карта средних арифметических значений еще известна как Х-карта....
размахов (R-карта) или картой выборочных стандартных отклонений (S-карта)....
Этапы построения контрольной карты средних значений
Контрольные карты средних значений обычно составляются...
Вычисление среднего размаха с двумя лишними десятичными знаками.
Рассмотрен пример выбора метода мониторинга для нестационарного автокоррелированного процесса. Показано применение контрольных карт различных типов: групповых средних и групповых размахов, индивидуальных значений и скользящих размахов, экспоненциально взвешенного скользящего среднего, кумулятивных сумм. Проведён сравнительный анализ результатов пробного мониторинга. Сформулированы рекомендации по выбору метода мониторинга для конкретного процесса.
Следовательно, с помощью контрольных карт показывают отклонения этих характеристик от целевого или среднего...
арифметическое значение размахов для всех подгрупп данных....
Отсюда следует, что центральная линия контрольной карты процесса соответствует общему среднему значению...
Если к нему прибавить средний размах, то будет найден верхний контрольный предел....
Если же вычесть из общего среднего значения средний размах, то определится нижний контрольный предел.
Рассмотрен пример выбора метода мониторинга для нестационарного автокоррелированного процесса. Показано применение контрольных карт различных типов: групповых средних и групповых размахов, индивидуальных значений и скользящих размахов, экспоненциально взвешенного скользящего среднего, кумулятивных сумм. Проведён сравнительный анализ результатов пробного мониторинга. Сформулированы рекомендации по выбору метода мониторинга для конкретного процесса.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве