Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
голографическая обработка данных, в которой применяют методы компьютерной голографии.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.