Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
значение мощности, определяемое как произведение коммутируемого напряжения на среднеквадратическое значение коммутируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхемы.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.