Справочник от Автор24
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2

Выходная мощность интегральной микросхемы

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника
Разместил 🤓 intinnavebrade593
👍 Проверено Автор24

мощность, выделяемая на нагрузке интегральной микросхемы в заданном режим.

Научные статьи на тему «Выходная мощность интегральной микросхемы»

Разработка интегрального устройства

В пленочных интегральных микросхемах межэлементные соединения и сами элементы сделаны в виде пленок....
В аналоговых интегральных устройствах выходные и входные сигналы изменяются согласно закону непрерывной...
В цифровых микросхемах входные и выходные сигналы могут иметь два значения: логическая единица или логический...
Развертывание микросхемы....
плотности электрического тока в соединениях, рассеиваемой мощности, а также плотности соединений.

Статья от экспертов

Транзисторные генераторы хаоса малой мощности

Исследуются энергетические характеристики генераторов СВЧ-хаоса малой мощности. С этой целью рассматриваются свойства нескольких вариантов транзисторных генераторов. Анализируется потребление тока и мощности при генерации хаоса с требуемыми характеристиками и выявляются закономерности, показывающие соотношения между напряжением питания, потребляемым током и выходной мощностью на примере одного из генераторов. Проводится проектирование генератора в виде монолитной интегральной микросхемы на основе кремниево-германиевой технологии и приводятся оценки энергетических характеристик генератора.

Научный журнал

Усилительные устройства

Источником питания потребляется некоторая мощность, часть которой является выходной мощностью и передается...
источника питания; Р1 — входная мощность; Р2 — выходная мощность; Получается, что характерным свойством...
Интегральные микросхемы. Транзистор. Вариконд....
В данном случае усилительными элементами могут быть транзисторы, выполненные в виде интегральной микросхемы...
микросхемами, биполярными транзисторами, с электронными лампами, с полевыми транзисторами.

Статья от экспертов

Драйверы MOSFET / IGBT технологии soi с усовершенствованными каскадами сдвига уровня

Схема сдвига уровня необходима для реализации высоковольтной развязки входных и выходных каскадов интегральных неизолирующих драйверов управления затворами (HVIC). Она также позволяет повысить устойчивость микросхемы к смещениям отрицательной полярности, наводимым на выходные каскады из-за наличия паразитных элементов схемы. Драйверы HVIC, не имеющие гальванической развязки, используются, как правило, в преобразователях малой и средней мощности. Разработка интегральных схем управления изолированным затвором MOSFET / IGBT на основе современной технологии SOI (Silicon On Isolator), исключающей возможность защелкивания (latch-up effect), требует применения усовершенствованной схемы сдвига уровня. Возможности такой схемы продемонстрированы с помощью нового 7-канального драйвера с рабочим напряжением 600 В, разработанного компанией SEMIKRON. Испытания показали, что устройство сохраняет работоспособность при отрицательном смещении до –45 В для каскадов нижнего уровня и –20 В для каскадов ...

Научный журнал

Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»

Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot