Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
отношение сигнал/шум на входе прибора свч к отношению сигнал/шум на его выходе.
В данной работе исследуются шумы в усилителе на поглощении вакуумном СВЧ приборе, в котором усиление происходит благодаря сдвигу фаз между электронным потоком и переменными составляющими поля, возникающего благодаря присутствию поглощающих стенок. Следует отметить, что в лампе на поглощении, называемой также резистивным усилителем, отсутствует необходимость в замедляющей системе и что почти полностью отсутствует обратная связь между выходом и входом. В последнее время к нему вновь проявлено внимание, в частности из-за возможности использования метаматериалов, увеличивающих коэффициент усиления. В ранних работах на основе экспериментальных данных упоминалось, что усилитель на поглощении имеет довольно высокие шумы, однако теоретическая оценка проведена не была. Исследуется линейная теория устройства с бесконечно широким электронным потоком при учете только нарастающей волны. Получено выражение для коэффициента усиления и проведена оценка фактора шума в предположении, что лампа имеет ...
При изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на арсениде галлия одной из важнейших технологических операций является формирование омических контактов (ОК). Снижение сопротивления ОК позволяет уменьшить сопротивление пассивных областей и таким образом добиться снижения коэффициента шума в МИС СВЧ усилителей. Особенно тщательно необходимо отработать технологию создания омических контактов. Ныне наиболее распространены технологии изготовления гетеропереходов металл-арсенид галлия на основе золота, однако, переход к металлизации на основе серебра, которому свойственны большая, по сравнению с золотом, теплои электропроводность и относительно небольшой коэффициент диффузии в арсенид галлия, должен повысить технические характеристики изделий. Одним из основных факторов влияния на качество омических контактов является отжиг тонкопленочных структур. В работе установлено, что время и температура отжига контактной структуры существенно влияют на параметры омического кон...
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
конденсатор, допускающий смену полярности напряжения на его выводах.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве