Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная дискретностью носителей заряда.; указанные процессы возникают при термоэмиссии, вторичной электронной, автоэлектронной эмиссии и др. процессах, связанных с переходом носителей заряда с поверхности твердого тела в вакуум и обратно.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
лампа, тело накала которой находится в колбе, наполненной смесью инертных газов, галогенов и их соединений.
лампа, оптическое излучение в которой создает дуговой разряд.