Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
радиочастоты 30-300 ггц.