Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
коэффициент, характеризующий деформацию и равный отношению высоты или толщины изделия до деформирования к его высоте или толщине после деформирования.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.