Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
величина, численно равная корню квадратному из отношения механической энергии, накопленной в магнитном материале за счет магнитной энергии, ко всей подведенной магнитной энергии при магнитном или механическом возбуждении колебаний.
Исследованы магнитные свойства гетероструктур, состоящих из платины Pt, эпитаксиально выращенного манганита La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), редкоземельных интерметаллических сверхрешеток, состоящих из обменно-связанных слоёв TbCo2/FeCo (TCFC), а также эпитаксиальной пленки железо-иттриевого граната Y3Fe5O12 (YIG). Материал TCFC обеспечивает гигантскую магнитострикцию, большое значение коэффициента магнитомеханической связи, управляемую наведенную магнитную анизотропию. Кроме того, в этом материале, так же как в Pt, имеется сильное спин-орбитальное взаимодействие. Проведенные экспериментальные исследования показали, что магнитное взаимодействие гетероструктуры (TeCo2/FeCo)n/LSMO имеет антиферромагнитный характер. Наблюдалось увеличение ширины линии ферромагнитного резонанса (ФМР) в структуре Pt/LSMO, вызванное протеканием в Pt спинового тока, возникающего в LSMO пленке при ФМР. В гетероструктуре TCFC/YIG наблюдалось электрического напряжение, наведенное в пленке интерметаллида TCFC, вызванное...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
полимер винилацетата.