Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
последовательное соединение двух управляемых полупроводниковых приборов: силового (как правило, высоковольтного биполярного транзистора) и управляющего (низковольтного полевого транзистора), образующих мощный ключевой элемент с более высоким быстродействием, расширенной областью безопасной работы и меньшей мощностыо импульса управления, чем входящий в состав ключа силовой элемент.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
преобразование номера приходящего входного сигнала в выходной двоичный код.