Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
разновидность неметаллических включений, представляющее собой химическое соединение серы с некоторыми металлами (FeS, MnS), отличающееся повышенной пластичностью.
Каждое инородное включение, выбоина уменьшают прочностные характеристики всего листа....
При производстве следят за наличием дефектов, к которым относятся:
появление кристаллов сульфидных соединений
Исследованы неметаллические включения в исходной и модифицированной стали 17Г1С в литом и деформированном состоянии. Микроструктурно определена морфология сульфидных включений и проведен их микрорентгеноспектральный анализ. Рассчитано объемное содержание включений до и после модифицирования.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.
химическоe соединениe элемента с кислородом.