бомбардировка поверхности металла, полупроводника или диэлектрика ионами металлов и неметаллов, приводящая к изменению состава, структуры и свойств поверхности; глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов; ионы с энергией ∼ 10÷100 кэВ проникают на глубину 0,01÷1 мкм.
К широко распространенному технологическому методу (ионная имплантация) добавился ряд новых направлений...
на сегодняшний день успешное развитие наблюдается для таких методов радиационной технологии, как:
ионное...
перемешивание;
легирование материала ядрами отдачи;
нейтронно-трансмутационное легирование;
матричный...
излучения в действительности довольно большая, поэтому она может влиять на вещество, создавая при этом ионы
Данная статья носит краткий обзор метода ионного легирования. Интерес рассматриваемого метода заключается в точном контроле введения примеси и достижения большой концентрации. В основе статьи лежит обзор устройства ионной имплантации и описание стадий формирования ионного пучка. Рассмотрены физические явления, возникающие при данном легировании, а также преимущества и недостатки этого метода.
Получены слои GaAs и AlGaAs, легированные Yb в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведены исследования фотолюминесценции таких слоев. Показано, что необходимым условием активации специфической люминесценции, связанной с ионами Yb3+, является дополнительное легирование (методом ионной имплантации) кислородом. Таким образом, процессы формирования люминесцентных комплексов на основе иона Yb3+ в слоях, выращенных и легированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в основном те же, что и в объемном материале, легированном Yb методом ионной имплантации.
процесс получения пленки в виде бесшовного рукава путем раздувания газом (обычно воздухом) горячей трубчатой заготовки, полученной экструзией расплава полимера через кольцевую экструзионную головку.
рассеяние лучей или элементарных частиц кристаллами или молекулами жидкостей и газов.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
