Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
Ионная имплантация, ионное легирование
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
бомбардировка поверхности металла, полупроводника или диэлектрика ионами металлов и неметаллов, приводящая к изменению состава, структуры и свойств поверхности; глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов; ионы с энергией ∼ 10÷100 кэВ проникают на глубину 0,01÷1 мкм.
Научные статьи на тему «Ионная имплантация, ионное легирование»
Радиационная физика твердого тела
К широко распространенному технологическому методу (ионная имплантация) добавился ряд новых направлений...
на сегодняшний день успешное развитие наблюдается для таких методов радиационной технологии, как:
ионное...
перемешивание;
легирование материала ядрами отдачи;
нейтронно-трансмутационное легирование;
матричный...
излучения в действительности довольно большая, поэтому она может влиять на вещество, создавая при этом ионы
Статья от экспертов
Ионная имплантация
Данная статья носит краткий обзор метода ионного легирования. Интерес рассматриваемого метода заключается в точном контроле введения примеси и достижения большой концентрации. В основе статьи лежит обзор устройства ионной имплантации и описание стадий формирования ионного пучка. Рассмотрены физические явления, возникающие при данном легировании, а также преимущества и недостатки этого метода.
Creative Commons
Научный журнал
РЕДКОЗЕМЕЛЬНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК GaAs И AlxGa1-xAs, ВЫРАЩЕННЫХ И ЛЕГИРОВАННЫХ Yb МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
Получены слои GaAs и AlGaAs, легированные Yb в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведены исследования фотолюминесценции таких слоев. Показано, что необходимым условием активации специфической люминесценции, связанной с ионами Yb3+, является дополнительное легирование (методом ионной имплантации) кислородом. Таким образом, процессы формирования люминесцентных комплексов на основе иона Yb3+ в слоях, выращенных и легированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в основном те же, что и в объемном материале, легированном Yb методом ионной имплантации.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Полярон
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.
- Ионная имплантация
- Ион
- Ионы
- Ионное облучение, ионная бомбардировка
- Антагонизм ионов
- Ионная концентрация
- Ионная проводимость
- Ионное облако
- Ионный прибор
- Ионный спектр
- Легкие ионы
- Миграция ионов
- Адсорбция ионов
- Атмосферные ионы
- Ионный канал
- Ионный нагрев
- Ионные фильтры
- Ионная поляризация
- Ионный сегнетоэлектрик
- Ионная карбюризация
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
