Вязкость ударная
механическое свойство, характеризующее поглощение механической энергии твердыми телами в процессе деформации и разрушения под действием ударной нагрузки.
интервал времени, необходимый для образования минимального количества продуктов превращения, доступных обнаружению данным методом исследования.
Инкубационный период длится на протяжении 11- 23 дня.
Лечение....
Инкубационный период от 3 – 14 дней....
Острый период наступает в течении первой недели болезни.
Лечение....
За ушной раковиной появляется опухоль, что и свидетельствует о начале инкубационного периода, который
Инкубационный период обычно составляет 21-28 дней....
Инкубационный период длится 50-180 дней....
Инкубационный период в среднем длится 2-26 недель....
Инкубационный период длится 1,5-6 месяцев.
Прогноз чаще не благоприятный....
Инкубационный период 14-50 дней.
Цель работы заключалась в изучении механизмов и роли инкубационного периода в решении задач. Эксперимент проводился в два дня, стимульным материалом служили анаграммы, имеющие два верных ответа. В первый день испытуемым показывали анаграммы и один из возможных вариантов ответа на них. Во второй день (спустя неделю) испытуемые решали анаграммы. Среди анаграмм были как те, которые предъявлялись в первый день, так и нейтральные, не предъявлявшиеся в первый день. Для анаграмм, предъявлявшихся в первый день, один из возможных ответов был предактивированным (с которым испытуемый был знаком), а другой альтернативным (который испытуемому не предъявлялся). Решение анаграмм было разбито на 2 этапа сначала испытуемые пробовали решить все анаграммы, затем они возвращались к не решенным на первом этапе анаграммам. Половина испытуемых делали перерыв между двумя этапами (инкубационный период), занятый решением теста Равена. Другая часть испытуемых работали над анаграммами непрерывно. На первом эта...
механическое свойство, характеризующее поглощение механической энергии твердыми телами в процессе деформации и разрушения под действием ударной нагрузки.
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.