Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
радиочастоты 300-3000 ггц.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.