Детекторный полупроводниковый диод
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
зависимость уровня восприимчивости к интермодуляции от частоты одного испытательного сигнала при частоте второго испытательного сигнала, при которой возникает интермодуляция в радиоприемном устройстве.
Предложен подход к анализу электромагнитной безопасности радиоэлектронных средств, основанный на частотно-ограниченных моделях характеристики спектральной плотности мощности источника помех и характеристики частотной избирательности рецептора помех. Для комплексной оценки электромагнитной безопасности предлагается интегральный критерий, включающий в себя энергетический критерий и критерий блокирования. Энергетический критерий учитывает вклад отдельных излучений источников помех в совокупный сигнал взаимных помех, а также приращение мощности продуктов интермодуляции, обусловленных эффектом интермодуляции в рецепторе помех. Критерий блокирования учитывает совокупность парциальных коэффициентов блокирования от отдельных источников помех.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
конденсатор, допускающий смену полярности напряжения на его выводах.
печатный проводник, вдоль которого распространяется электромагнитная энергия.