Групповой фотошаблон

Способ повышения точности размерной обработки кремния

С целью повышения точности размерной обработки кремния в статье усовершенствован стандартный технологический процесс изготовления глубокопрофильных кремниевых структур. Описан групповой метод получения элементов кристаллических, являющихся основной частью чувствительного элемента в МЭМС датчиках. В качестве материала элементов кристаллических используется монокристаллический кремний. Приведены способы получения защитных пленок полупроводникового кремния, а также способы получения рельефных кремниевых структур. Описан стандартный процесс фотолитографии и его недостатки, а также процесс с использованием контрастного слоя, с помощью которого на этапе экспонирования повышается точность совмещения рисунка фотошаблона с профилем кремниевой пластины, в результате чего увеличивается не только процент выхода годных чувствительных элементов, а также стабильность точностных характеристик МЭМС датчиков.