Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изостатическое формование до получения максимальной плотности заготовки при температуре выше температуры рекристаллизации.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне