Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
формование металлического порошка заполнением шликером пористой формы, обеспечивающей удаление жидкости из шликера.
Представлены результаты численного исследования процесса центробежного формования суспензий на основе порошка диоксида циркония. Численное моделирование проводилось с использованием программного комплекса Flow Vision. Показано влияние схемы центробежного литья и скорости вращения формы на распределение концентрации, скорости, плотности и давления в объеме суспензий в процессе формования заготовок.
Исследовалась пористость полимерных плёнкообразующих материалов на гипсовой форме, скорость всасывания воды через полимерные плёнки на гипсовой подложке. Толщина слоя шликера на гипсовой форме зависит от полимерной пленки.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
полимер стирола.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.