Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
схема, по которой реализуют голографический метод.
Представлена оптическая схема профилографа, сканирующего голографическое изображение объекта в видимом интервале электромагнитных волн и позволяющего получить характеристики поверхности для структурирования ее трехмерной модели на основе модульно-геометрического подхода, а также схема рентгенопрофилографа активного контроля над процессом формирования микрорельефа поверхности.
Рассматривается задача записи и реконструкции цифровых голограмм, записанных в сканирующем режиме конфокального лазерного микроскопа. Применение радиооптического метода для аналитического описания прохождения опорного и предметного лучей в системе позволило сделать вывод о необходимости специального программного обеспечения для восстановления и компенсации искажений такихголограмм.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
лампа, оптическое излучение в которой создает дуговой разряд.
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.