Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
аналоговая голографическая схема, в которой объектная и опорная волны падают на материальный носитель с одной стороны под углом менее 180°.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.
область проводимости между двумя электродами газоразрядного прибора.