Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
нагружение, осуществляемое путем передачи давления на деформируемое тело через жидкость (вода, масло, расплавленные соли, стекло, легкоплавкие металлы).
Рассмотрена задача линейной теории упругости для полого шара, нагруженного на внутренней и наружной сферической поверхностях равномерным давлением. Доказано, что напряженное состояние шара не зависит от упругих свойств его материала. Выведены аналитические зависимости для компонент напряжений и перемещений в толстостенном шаре и оболочках средней и малой толщины. Библиогр. 6 назв.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне